MOS?管的導通條件有哪些？

作者：黑金剛電容    發布時間：2023-12-02 20:38:19  訪問量：1949  來源：超級電容組

MOS管的導通條件有哪些？

1、電壓

MOSFET的導通電壓為VGS，即柵極加正電壓(VD)。

由于MOS管是場效應晶體管，其輸入電阻很小。因此，只要VGS大于VD就可以使MOSFET導通。當VDVgs時，則mosfet導通;當UV。時(此時相當于開漏輸出)，mosfet截止。(注：在實際應用中很少遇到這種情況。)

2、電流

(1)飽和電流

飽和電流是指流過MOS管的直流或脈沖電流值。對于單溝道增強型NPN型器件而言，其飽和電流一般不超過10A/dt左右。而對于雙溝道增強型NPN型和P溝道增強型NPN型器件而言，其飽和電流可達幾十A/dt甚至幾百A/dt以上。

(2)閾值電流

閾值電路的作用主要是限制過載和防止短路現象發生。對于雙溝道增強型的NPN型和P溝道增強型的NPN 型器件來說，(如BJT)閾值電路的作用主要是限制過載和防止短路現象發生。(注：在實際應用中很少遇到這種情況。)

3、溫度

(1)結溫

結溫是指晶體管的基區、發射區和集電極的溫度之和稱為結溫(也稱允許工作溫度)。通常情況下結溫小于°C.如果高于此溫度范圍將導致管子損壞或壽命縮短。(注：在實際應用中很少遇到這種情況。)

(2)環境溫度

環境溫度指周圍空氣的溫度總和稱為環境溫度(又稱額定工作溫度)。通常情況下的工作環境要求室溫應0°C～+50°C之間為宜.若高于此范圍將導致管子損壞或壽命縮短.另外還要考慮濕度的影響.濕度過大也會影響管子的正常工作.(注：在實際應用中很少遇到這種情況。

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